Ваш регион:   выбрать
Телефон магазина:
Уважаемые покупатели, наш магазин к сожалению закрывается на неопределенное время, мы работаем до 25.10.2024 включительно.
|
|
|
Накопитель SSD M.2 2280 1TB Samsung (MZ-V6E1T0BW) купить за 33354₽

Накопитель SSD M.2 2280 1TB Samsung (MZ-V6E1T0BW) для компьютера

Цена
0
Наличие уточняйте у менеджера.
Название:   Накопитель SSD M.2 2280 1TB Samsung (MZ-V6E1T0BW)
Оригинальные коды товара: ?
Samsung   MZ-V6E1T0BW
Гарантия
До 12 месяцев
Возврат
В течение 14 дней
Оставить отзыв

Samsung 960 EVO объединяет контроллер Polaris с современной TLC 3D V-NAND третьего поколения, применяемой в 850 EVO. Трёхмерная TLC-память компании Samsung обеспечивает очень достойную скорость и выносливость, а по 960 PRO известно, что мощность контроллера Polaris позволяет почти полностью реализовать пропускную способность интерфейса PCI Express 3.0 x4. А это значит, что от Samsung 960 EVO можно ожидать очень многого, и в первую очередь – близкой с 960 PRO производительности при гораздо более доступной цене.

Polaris – это самый мощный контроллер для NVMe-накопителей потребительского класса, который существует на данный момент. Samsung Polaris основывается на пятиядерном ARM-процессоре, одно из ядер которого полностью отдано под обслуживание операций обмена данными с хостом. Для работы с флеш-памятью контроллер Polaris использует классическую восьмиканальную схему. В Samsung 960 EVO в его восьми каналах устанавливается TLC 3D V-NAND третьего поколения – именно это и отличает данный накопитель от 960 PRO, где применена MLC 3D V-NAND.

Добавление к Samsung 960 EVO динамического SLC-кеширования позволило увеличить размер области, в которую возможна быстрая запись. Даже в младшей версии накопителя ёмкость объединённого кеша доходит до 13 Гбайт, а это – больше размеров папок, с которыми в типичных персональных компьютерах могут одномоментно проводиться операции записи.



Производитель: Samsung

Модель: M.2 2280 1TB

Артикул: MZ-V6E1T0BW

Назначение: для компьютера, для сервера

Объём памяти: 1 TB

Форм-фактор: M.2

Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)

Скорость чтения, макс.: 3200 Mb/s

Скорость записи, макс.: 1900Mb/s

Тип флеш-памяти: VNAND

Наработка на отказ: 1.5 млн.часов

Страна производства: Южная Корея

УКТВЭД: 8471709800

Остались вопросы?
Заполните форму и наши специалисты свяжутся с Вами!